Автор: Вадим Логинов
Источник: Мир ПК

Модернизация памяти, пожалуй, самый простой и эффективный способ повышения быстродействия мобильного компьютера. Но тем не менее производители портативных ПК не только рекомендуют выполнять эту, казалось бы, нехитрую операцию в стенах фирменного сервисного центра, но порой и просто пломбируют отсек модулей памяти гарантийными наклейками. С чем же это связано? С желанием изготовителя получить дополнительную прибыль или с заботой о потребителе? Попробуем разобраться, какие подводные камни подстерегают пользователя ноутбука при самостоятельной модернизации ОЗУ.

Большинство проблем, как правило, возникают в самом начале — при выборе модуля памяти. Дело в том, что в портативных компьютерах используются микросхемы памяти, созданные по той же технологии, что и микросхемы настольных ПК, однако по форме они различаются. Вместо стандартных модулей SIMM (Single Inline Memory Module) или DIMM (Dual Inline Memory Module), предназначенных для настольных ПК, в ноутбуках устанавливаются микросхемы меньшего размера — SO-SIMM и SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module). И если первые сейчас уже не применяются, то вторые широко используются практически во всех моделях современных (и не очень) мобильных компьютеров. Но и этого мало. Аббревиатура SO-DIMM обозначает лишь то, что модуль памяти имеет небольшие размеры и может быть установлен в ноутбуке. А вот в каком именно? Чтобы ответить на этот вопрос, нужно разобраться в многочисленных типах микросхем памяти и их маркировках.

Нестандартные модули памяти

На заре компьютеростроения в настольных ПК на основе 286, 386 и 486-го процессоров применялись стандартные 36- и 72-контактные модули SIMM, и потому никаких проблем с их модернизацией обычно не возникало. С ноутбуками же ситуация складывалась значительно сложнее. Дело в том, что портативные ПК в то время были не столько инструментом для работы, сколько предметом роскоши — они не были широко распространены, а по стоимости порой превосходили аналогичные конфигурации настольных машин в 5 раз и более. Естественно, производители не были заинтересованы в какой-либо стандартизации: зачем терять дополнительную прибыль, полученную от модернизации портативного компьютера? Поэтому каждый изготовитель применял свои модули памяти, несовместимые с другими моделями. Как правило, различие заключалось лишь в размерах и форме; электрически, так или иначе, данные модули были совместимы со стандартом SIMM, что обусловливалось принципом открытой архитектуры. Из-за этого модули памяти для ноутбуков приходилось заказывать непосредственно у производителя, причем после того, как модель ноутбука снималась с производства, подобрать нужную память становилось весьма проблематично. Так что если вы являетесь «счастливым» обладателем подобного аппарата, о какой-либо модернизации памяти можно забыть.

72-контактные модули SO-SIMM

Эти модули также устарели — они применялись только в портативных компьютерах на базе процессоров 486 и Pentium, хотя до сих пор еще доступны в продаже для модернизации старых систем. Правда, их цена значительно выше стоимости современных модулей и зачастую сравнима с ценой самого ноутбука. Большинство таких модулей оснащены микросхемами памяти FPM/EDO со временем доступа 60 нс и рабочим напряжением 3,3 В. Используемая в 72-контактных модулях 32-разрядная шина данных накладывает ограничение на максимальный объем памяти, составляющий 64 Мбайт.

Все выводы контактов и разъемов системной платы обычно покрываются золотом, что обеспечивает более надежную работу модулей. Однако порой встречаются модули, на контакты которых нанесен обычный припой. С такими лучше не связываться — взаимодействие разных металлов может привести к коррозии контактов, из-за чего портативный компьютер потеряет работоспособность.

144-контактные модули SO-DIMM

Сверху вниз: 144-контактный SO-DIMM, 200-контактный SO-DIMM и 144-контактный micro-DIMM

Данные модули предназначены для установки в ноутбуки, построенные на базе процессоров Intel Pentium II, III и AMD Athlon ранних модификаций. Они комплектуются микросхемами памяти (SDRAM) PC 66, РС 100 и РС 133 — динамическим ОЗУ (DRAM), работа которого синхронизируется с шиной памяти. SDRAM позволяет сократить число циклов ожидания, необходимых для асинхронной DRAM, поскольку память такого типа функционирует по сигналам, синхронизированным с тактовым генератором системной платы.

По сравнению с оперативной памятью FPM или EDO, применяемой в компьютерах ранних годов выпуска, эффективность SDRAM значительно выше. Поскольку SDRAM — оперативная память динамического типа, то у нее начальное время ожидания такое же, как у памяти FPM или EDO, а вот общее время цикла гораздо короче. Схема синхронизации пакетного доступа SDRAM выглядит как 5-1-1-1, т.е. четыре операции чтения завершаются всего лишь за восемь циклов системной шины.

Кроме того, SDRAM может работать с частотой 133 МГц (микросхемы с временем доступа 7,5 нс) и выше, что с 1998 г. фактически стало новым стандартом системного быстродействия. Это привело к тому, что все персональные компьютеры, продававшиеся в 1998—2001 гг., были оснащены памятью именно такого типа.

Хотя по стандарту и допускается использование модулей с напряжением 5 В, современные 144-контактные модули SO-DIMM рассчитаны на напряжение питания 3,3 В, что способствует снижению энергопотребления и тепловыделения.

Максимальный объемом памяти для этих модулей составляет 512 Мбайт, а рабочая частота варьирует от 66 до 133 МГц.

200-контактные модули SO-DIMM

Такие модули по праву можно назвать сегодняшним днем компьютерной индустрии. Они построены на базе микросхем памяти типов DDR и DDR2 SDRAM.

Память типа DDR (Double Data Rate — двойная скорость передачи данных) — это еще более усовершенствованный стандарт SDRAM, при использовании которого скорость передачи данных удваивается не за счет увеличения тактовой частоты, а в результате того, что данные передаются дважды за один цикл: первый раз — в начале, второй — в конце. Сначала стандарт DDR получил распространение на рынке графических плат, потом же стал основным для современных ПК. В настоящее время SDRAM типа DDR поддерживается основными производителями процессоров, наборов микросхем системной логики и оперативной памяти.

Модули SO-DIMM DDR SDRAM обычно работают при напряжении питания 2,5 В, что позволяет более эффективно использовать энергию батареи. Они имеют шину данных шириной 64 бит и не требуют парной установки. Сейчас уже доступны модули стандарта РС1600 (200 МГц), РС2100 (266 МГц) и РС2700 (333 МГц) с максимальным объемом памяти 1 Гбайт. Кроме того, в некоторых моделях ноутбуков встречаются модули, поддерживающие коррекцию ошибок с помощью кода ЕСС и способные сохранить целостность данных при сбое системы. Объем памяти у них может достигать 2 Гбайт.

Сравнительно недавно, в середине 2003 г., появились SO-DIMM типа DDR2, а наборы микросхем системной логики и соответствующие системные платы стали доступны лишь в первой половине 2004 г. Память типа DDR2 представляет собой более быстродействующую версию стандартной памяти типа DDR SDRAM — ее высокая пропускная способность достигается за счет использования дифференциальных пар сигнальных контактов, обеспечивающих улучшенную передачу сигналов и устранение проблем с сигнальными шумами/интерференцией. Предполагалось, что применение DDR2 даст учетверенную скорость передачи данных, однако финальные образцы предоставляют лишь удвоенную скорость, хотя модифицированный метод передачи сигналов позволяет достичь еще более высокой производительности. Частоты работы памяти типа DDR2 начинаются с 400 МГц и доходят до 1024 МГц, а ее максимальный объем составляет 2 Гбайт.

Кроме высокого быстродействия и пропускной способности память типа DDR2 обладает и другими достоинствами. Одно из них — уменьшенное (по сравнению с памятью типа DDR) напряжение питания (1,8 вместо 2,5 В), в результате чего эти модули потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла. Так как микросхемы типа DDR2 обладают большим количеством контактных выводов, они изготавливаются в корпусе FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) и соединяются с платой модуля плотно нанесенными шариками припоя, которые находятся на поверхности корпуса.

Хотя размер 200-контактных модулей и соответствует размеру 144-контактных, выводы расположены ближе друг к другу, а ключевой паз смещен немного левее, что препятствует установке 200-контактных модулей в разъемы для 144-контактных модулей и наоборот.

144- и 172-контактные модули micro-DIMM

По своим характеристикам 144-контактные модули полностью аналогичны 144-контактным SDRAM SO-DIMM, однако имеют вдвое меньший размер (38і30 мм), что допускает их установку в небольшие корпуса тонких ноутбуков. Они построены на базе микросхем SDRAM РС 100 или РС 133. Максимальный объем памяти составляет 256 Мбайт, а частота варьирует от 100 до 133 МГц.

По своим спецификациям 172-контактные модули идентичны 200-контактным SO-DIMM типа DDR SDRAM, но имеют вдвое меньший размер, благодаря чему их можно устанавливать в портативные ноутбуки. Правда, в отличие от SO-DIMM micro-DIMM не имеют пазов в контактной области, однако в левой части модуля есть вырез, обеспечивающий его правильную установку в разъем системной платы. Кроме того, данные модули не поддерживают функции коррекции ошибок.

Модули micro-DIMM типа DDR SDRAM комплектуются микросхемами РС1600, РС2100 и РС2700. Их объем может достигать 1 Гбайт, а тактовая частота принимать значения 100 (200), 133 (266) и 166 (333) МГц.

Особенности подбора модулей памяти

При подборе модуля в первую очередь необходимо удостовериться в его совместимости с системной платой ноутбука. Помимо перечисленных выше отличий существует несколько ограничений, которые также необходимо учитывать. Так, вместо медленного модуля допускается установка ОЗУ с большей тактовой частотой, однако тип примененных микросхем памяти должен совпадать. Например, даже если система поддерживает только 66- или 100-МГц модули, вполне можно установить ОЗУ стандарта PC 133, однако модули типа SDRAM нельзя использовать для системной платы с поддержкой EDO и наоборот.

Еще одной важной характеристикой является CAS Latency (Column Address Strobe), или CL (иногда эта характеристика называется задержкой чтения (Read Latency), причем меньшее значение параметра означает бўольшую производительность. Обычно модули SDRAM имеют CL, равный 2, 2,5 или 3. При модернизации желательно выбирать модули с более низким значением этого параметра, так как набор микросхем системной платы считывает его из микросхемы SPD (Serial Presence Detect), установленной в модуле памяти, и автоматически переключается на более быстрый режим работы.

Число микросхем модуля также является важным параметром правильного подбора. Обычно в систему допускается устанавливать модуль с большим количеством микросхем, но не наоборот, что связано с особенностями адресации блоков памяти.

Кроме того, для исключения фатальных ошибок в центре контактной группы большинства модулей предусмотрены небольшие пазы, препятствующие установке неправильной стороной и указывающие на напряжение питания и тип примененных микросхем памяти. Поэтому при покупке нового модуля желательно приложить к нему старый, чтобы избежать многих проблем с несовместимостью.

Как правило, отсек модулей памяти расположен в центральной части нижней панели ноутбука	Отворачиваем крепежный винт...

...и снимаем крышку отсека	Осторожно отгибаем защелки...

...и снимаем модуль памяти	Устанавливаем новые модули памяти...

...и фиксируем их защелками	Модернизация завершена - теперь остается поставить крышку на место, и можно включать ноутбук

Сколько вешать в граммах?

Ну, как говорится, Машу Каслом не испортишь... Добавление оперативной памяти не только значительно повышает быстродействие ПК, но и увеличивает время его работы от батареи, поскольку при возрастании объема ОЗУ существенно сокращается использование файла подкачки, расположенного на жестком диске.

Тем не менее, на наш взгляд, оптимальный объем памяти для компьютеров, построенных на базе процессоров Intel Pentium и Pentium II, составляет 128—256 Мбайт, на основе Pentium III и AMD Athlon ранних модификаций — 256—512 Мбайт, а оснащенных ЦП Pentium 4 и AMD Athlon 64 — 1 Гбайт и выше. Такая градация связана не только с предположительной областью применения устаревших компьютеров, но и с экономической целесообразностью подобной модернизации. Например, цена 144-контактного модуля памяти объемом 256 Мбайт для ноутбука на базе Pentium II может составить 150 долл., что вполне сравнимо со стоимостью самого портативного компьютера. Кроме того, нужно учитывать и максимально возможный объем памяти, устанавливаемой в ту или иную модель. Обычно этот параметр приведен в спецификациях на сайте изготовителя ноутбука.

Существует и еще одно ограничение — при использовании в качестве ОС семейства Windows 9x размер памяти не должен превышать 512 Мбайт, так как дисковый кэш, встроенный в эти операционные системы, просто не поддерживает адресацию подобного объема.

Пожалуй, наибольшая проблема для ноутбуков состоит в том, что они имеют лишь один или два разъема для модулей памяти. Зачастую оба гнезда уже заняты, поэтому перед установкой нового модуля придется удалить старый, что повлечет дополнительные финансовые затраты.

Большинство современных портативных компьютеров продаются с установленным объемом ОЗУ, равным 512 Мбайт. Как правило, в таких аппаратах доступны два гнезда для 200-контактных модулей SO-DIMM типа DDR SDRAM, а поскольку пара модулей по 256 Мбайт стоят дешевле одного объемом 512 Мбайт, то и компьютер, скорее всего, будет оснащен именно такой парой. При этом свободных разъемов для увеличения объема ОЗУ не остается, и значит, если потребуется нарастить объем памяти, скажем до 1 Гбайт, то два модуля по 256 Мбайт придется заменить парой модулей по 512 Мбайт, а это обойдется существенно дороже, нежели покупка 512-Мбайт модуля. Так что при выборе нового ноутбука задумайтесь о последующей модернизации — попросите, чтобы вся оперативная память была установлена в виде одного модуля. Правда, не исключено, что за подобную услугу придется доплатить.

Сам процесс замены модулей памяти в большинстве ноутбуков довольно прост и не требует специальной квалификации. Он подробно представлен на рисунках. Если же в вашем ноутбуке доступ к модулям памяти осуществляется иначе, обратитесь к документации, в которой должна быть подробно описана эта процедура.